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闪存是什么意思?

生活百科2021-02-02105举报/反馈

一、闪存是什么意思


1、储存器

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意:NOR Flash 为字节存储。),区块大小一般为256KB到20MB。

2、闪存通常被用来保存设置信息

闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,闪存与EEPROM不同的是,EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。

3、闪存是一种非易失性存储器

即断电数据也不会丢失。因为闪存不像RAM(随机存取存储器)一样以字节为单位改写数据,因此不能取代RAM。闪存卡(Flash Card)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器,一般应用在数码相机,掌上电脑,MP3等小型数码产品中作为存储介质,所以样子小巧,有如一张卡片,所以称之为闪存卡。

4、种类

根据不同的生产厂商和不同的应用,闪存卡大概有SmartMedia(SM卡)、Compact Flash(CF卡)、MultiMediaCard(MMC卡)、Secure Digital(SD卡)、Memory Stick(记忆棒)、XD-Picture Card(XD卡)和微硬盘(MICRODRIVE)这些闪存卡虽然外观、规格不同,但是技术原理都是相同的。

5、NOR型与NAND型闪存的区别

NOR型与NAND型闪存的区别很大,打个比方说,NOR型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且NAND型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。

二、闪存应用前景

1、“优盘”是闪存走进日常生活的最明显写照,其实早在U盘之前,闪存已经出现在许多电子产品之中。传统的存储数据方式是采用RAM的易失存储,电池没电了数据就会丢失。采用闪存的产品,克服了这一毛病,使得数据存储更为可靠。除了闪存盘,闪存还被应用在计算机中的BIOS、PDA、数码相机、录音笔、手机、数字电视、游戏机等电子产品中。

2、追溯到1998年,优盘进入市场。接口由USB1.0发展到2.0再到最新的USB3.0,速度逐渐提高。U盘的盛行还间接促进了USB接口的推广。为什么U盘这么受到人们欢迎呢?

3、闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲,闪存盘的容量从16MB到64GB可选,突破了软驱1.44MB的局限性。从读写速度上讲,闪存盘采用USB接口,读写速度比软盘高许多。

4、从稳定性上讲,闪存盘没有机械读写装置,避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能,令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧,更易于携带。且采用支持热插拔的USB接口,使用非常方便。

5、闪存正朝大容量、低功耗、低成本的方向发展。与传统硬盘相比,闪存的读写速度高、功耗较低,市场上已经出现了闪存硬盘,也就是SSD硬盘,该硬盘的性价比进一步提升。随着制造工艺的提高、成本的降低,闪存将更多地出现在日常生活之中。

三、闪存发展过程


1、提出概念

在1984年,东芝公司的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同,闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失),其记录速度也非常快。

2、NOR闪存

Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年,公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小,并被内嵌于一个录音机里。後来,Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术,并拥有一个SRAM接口。

3、NAND闪存

第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制,并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%,它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半,在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现,它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。

4、发展历史

与许多寿命短小的信息技术相比,闪存以其16年的发展历程,充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初,闪存才初入市场;至2000年,利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任,彼得曾说:“就闪存的生命周期而言,我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信,闪存的销售仍具有上升空间,并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌宣布,其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底,英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺,每月制造超过10,000片晶圆。而2007年,该公司更希望在NAND市场成为前三甲。

5、往后发展

此外,Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为,在2008年之前,闪存将不可替代。2006年,Intel将首先采用65纳米技术;到2008年,正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得,预测仍然比较浅显,或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认,2008年至2010年,新的技术可能会取而代之。

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